主營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅晶棒，碳化硅襯底，氮化鎵晶片，COF封裝基板
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| 數(shù)量(片) | 價(jià)格 |
| 10000 | 100.00元/片 |
￥100.00
￥100.00
| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | 6英寸 |
| 類(lèi)型 | 化合物半導(dǎo)體材料 | 材質(zhì) | 碳化硅 |
| 顏色 | 其他 | ||
6英寸N型碳化硅晶棒生產(chǎn)廠家供應(yīng)導(dǎo)電型SiC襯底晶片
蘇州恒邁瑞材料科技生產(chǎn)供應(yīng)6英寸碳化硅晶棒晶體，分為導(dǎo)電型和半絕緣型。同時(shí)供應(yīng)4英寸碳化硅襯底以及8英寸碳化硅襯底晶片。
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底兩類(lèi)，這兩類(lèi)襯底經(jīng)外延生長(zhǎng)后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。
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