近日，國家重點研發(fā)計劃“高分辨耐輻照硅探測器的研發(fā)與產業(yè)化應用”項目正式啟動。

　　科學儀器設備是科學研究和技術創(chuàng)新的基石，是經濟社會發(fā)展和國防安全的重要保障。為切實提升我國科學儀器設備的自主創(chuàng)新能力和裝備水平，促進產業(yè)升級發(fā)展，支撐創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略的實施，我國啟動了國家重點研發(fā)計劃。

　　射線探測技術作為現代科技關鍵核心技術，在公共安檢設備、國防建設、核能開發(fā)利用等領域有廣泛應用空間，目前我國硅輻射探測器市場上的產品絕大部分被國外壟斷，迫切需要在關鍵領域進行重點突破。耐高壓硅探測器作為國防特殊輻射測量設備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測量的動態(tài)范圍，對中子、伽馬射線等具有良好分辨力，在核輻射監(jiān)測、高能粒子探測、X射線衍射儀、安檢等應用廣泛，

　　為此，四川藝精科技集團牽頭申報，中國工程物理研究院材料研究所、中國工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司共同參與了高分辨耐輻照硅探測器項目的研制，在2018年正式通過了科技部的立項，中央財政經費為428萬元，實施周期為3年。

　　高分辨耐輻照硅探測器項目將通過以表面鈍化和離子注入等關鍵技術突破為重點，獲得具有自主知識產權的高性能硅輻射探測關鍵技術，從基礎研究、工藝控制、器件研制、產品研發(fā)、產業(yè)化等各階段提升核心競爭力，帶動相關產業(yè)發(fā)展，主要任務包括研制高壓耐輻照硅探測器、面向公共安檢應用的高性能X射線探測器、大面積X射線硅探測器等

　　項目的考核指標主要有探測面積≥5cm×5cm；位置分辨率≤100μm；漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓;探測器工作電壓≥600V；抗輻照指標≥1×1015nep/cm2。產品完成時應通過可靠性測試，平均故障間隔時間≥5000小時;技術就緒度達到9級。明確發(fā)明專利、標準和軟件著作權等知識產權數量；形成批量生產能力，明確項目驗收時銷售數量和銷售額。

　　該項目的實施將進一步提升相關領域的核心競爭力，打破國際對我國的技術封鎖，縮小與國際先進技術的差距，帶動相關產業(yè)發(fā)展，以自主科技創(chuàng)新實現我國自己掌控相關產業(yè)發(fā)展和國家安全的命脈。下一步，團隊將重點研究硅表面鈍化工藝，通過控制硅表面氧化膜的厚度和質量來提高器件工作性能及輻照性能。