5月8日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱上海微系統(tǒng)所）研究員歐欣團(tuán)隊(duì)與瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院tobias kippenberg團(tuán)隊(duì)合作，在鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓及高性能光子芯片制備領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。上海微系統(tǒng)所已率先攻關(guān)8英寸晶圓制備技術(shù)，為更大規(guī)模的國(guó)產(chǎn)光電集成芯片和移動(dòng)終端射頻濾波器芯片的發(fā)展奠定了核心材料基礎(chǔ)。相關(guān)成果以《可批量制造的鉭酸鋰集成光子芯片》（lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）為題，發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》。

鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓及高性能光子芯片示意圖

隨著全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”，集成電路芯片性能提升的難度和成本越來越高，人們迫切需要尋找新的技術(shù)方案。以硅光技術(shù)和薄膜鈮酸鋰光子技術(shù)為代表的集成光電技術(shù)成為應(yīng)對(duì)此瓶頸問題的顛覆性技術(shù)。

其中，鈮酸鋰被稱為光子時(shí)代的“光學(xué)硅”材料，因其自身機(jī)械性能穩(wěn)定、易加工、耐高溫、抗腐蝕、原材料來源豐富、價(jià)格低廉、易生長(zhǎng)成大晶體的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于高性能濾波器、電光器件、全息存儲(chǔ)、3d全息顯示、非線性光學(xué)器件、光量子通信等領(lǐng)域。

與鈮酸鋰類似，歐欣團(tuán)隊(duì)與合作者研究證明單晶鉭酸鋰薄膜同樣具有優(yōu)異的電光轉(zhuǎn)換特性，且在雙折射、透明窗口范圍、抗光折變、頻率梳產(chǎn)生等方面相比鈮酸鋰更具優(yōu)勢(shì)。此外，硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓（ltoi）的制備工藝與絕緣體上的硅（soi）更加接近，因此，鉭酸鋰薄膜可實(shí)現(xiàn)低成本和規(guī)?；圃欤哂袠O高的應(yīng)用價(jià)值。

歐欣團(tuán)隊(duì)采用基于“萬能離子刀”的異質(zhì)集成技術(shù)，通過離子注入結(jié)合晶圓鍵合的方法，制備了高質(zhì)量硅基鉭酸鋰單晶薄膜異質(zhì)晶圓。進(jìn)一步，與合作團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了超低損耗鉭酸鋰光子器件微納加工方法，對(duì)應(yīng)器件的光學(xué)損耗低于已知的晶圓級(jí)鈮酸鋰波導(dǎo)的最低損耗值。

（a）硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓（b）薄膜鉭酸鋰光學(xué)波導(dǎo)制備工藝及波導(dǎo)的掃描透鏡顯微鏡（sem）

結(jié)合晶圓級(jí)流片工藝，研究人員探索了鉭酸鋰材料內(nèi)低雙折射對(duì)于模式交叉的有效抑制，并驗(yàn)證了可以應(yīng)用于整個(gè)通信波段的鉭酸鋰光子微腔諧振器。鉭酸鋰光子芯片不僅展現(xiàn)出與鈮酸鋰薄膜相當(dāng)?shù)碾姽庹{(diào)制效率，同時(shí)基于鉭酸鋰光子芯片，研究團(tuán)隊(duì)首次在x切型電光平臺(tái)中成功產(chǎn)生了孤子光學(xué)頻率梳，結(jié)合其電光可調(diào)諧性質(zhì)，有望在激光雷達(dá)、精密測(cè)量等方面實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。

（a）薄膜鉭酸鋰電光調(diào)制器；

（b）首次實(shí)現(xiàn)x切型鉭酸鋰上的克爾孤子光頻梳8英寸硅基薄膜鉭酸鋰晶圓制備

歐欣介紹，相較于薄膜鈮酸鋰，薄膜鉭酸鋰更易制備，且制備效率更高。同時(shí)，鉭酸鋰薄膜具有更寬的透明窗口、強(qiáng)電光調(diào)制、弱雙折射、更強(qiáng)的抗光折變特性，這種先天的材料優(yōu)勢(shì)極大地?cái)U(kuò)展了鉭酸鋰平臺(tái)的光學(xué)設(shè)計(jì)自由度。