射頻功率組件市場(chǎng)將迎來一新波成長(zhǎng)潮。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，未來5年5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)對(duì)基站需求的增長(zhǎng)，將為RF功率組件市場(chǎng)注入新的成長(zhǎng)動(dòng)能；預(yù)估2016——2022年全球RF功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值，將由15億美元攀升至25億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)9.8%。

　　新的無線網(wǎng)絡(luò)將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會(huì)為芯片供應(yīng)商帶來巨大的商機(jī)，尤其是RF功率半導(dǎo)體銷售商。預(yù)計(jì)包括基站和無線回程在內(nèi)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，將占據(jù)整體市場(chǎng)的半壁江山。2016——2022年期間，基站市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以12.5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率持續(xù)快速增長(zhǎng)，而電信回程市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將為5.3%。

　　Yole預(yù)估在未來的幾年間，隨著電信基站升級(jí)和smallcell小型基站需求的增長(zhǎng)，市場(chǎng)將會(huì)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016年至2022年底，整體市場(chǎng)收入可能會(huì)上漲75％，在此期間復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到9.8％，市場(chǎng)規(guī)模從2016年的15億美元到2022年的25億美元。今日，市場(chǎng)正在跨過4G網(wǎng)絡(luò)建置完成的門檻，然后開始向5G轉(zhuǎn)型。當(dāng)然，過程中還有很多待解決和建置的部分。然而，新的無線射頻網(wǎng)絡(luò)將需要更多的裝置設(shè)備和更高的頻率這兩點(diǎn)是無庸置疑的。芯片供應(yīng)商，特別是RF功率半導(dǎo)體廠商，將因此擁有巨大的發(fā)展機(jī)會(huì)。

　　與此同時(shí)，伴隨著採用GaAs和GaN的固態(tài)技術(shù)取代舊式真空管設(shè)計(jì)的趨勢(shì)，國(guó)防方面的應(yīng)用也為射頻功率裝置提供了絕佳的機(jī)會(huì)。這些新技術(shù)因應(yīng)各種使用情境，提供了更好的性能、減小的尺寸和可靠度。有鑑于此，它們的所佔(zhàn)的市場(chǎng)份額逐漸增加。到2022年，該市場(chǎng)區(qū)隔的收入將增長(zhǎng)20％左右，而2016年至2022年的年均複合增長(zhǎng)率為4.3％。

　　Yole的技術(shù)和市場(chǎng)分析師ZhenZong表示：“在接下來的5年，5G時(shí)代將逐步實(shí)現(xiàn)，如此的革命性轉(zhuǎn)型將重塑RF技術(shù)發(fā)展的局勢(shì)。”不僅對(duì)智能手機(jī)應(yīng)用來說如此，3瓦以上的RF電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用和5G相關(guān)技術(shù)，將為RF功率市場(chǎng)中的化合物半導(dǎo)體提供相當(dāng)可觀的商機(jī)。預(yù)計(jì)GaN將于未來5——10年成為3W以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)，GaAs基于其穩(wěn)定性與不錯(cuò)的性價(jià)比，也得以維持一定比重；至于LDMOS部分則將繼續(xù)衰退，市場(chǎng)規(guī)模跌至整體15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內(nèi)在RF功率市場(chǎng)仍不至面臨淘汰。

　　RF功率組件廠商潛力無限，Qorvo蓄勢(shì)待發(fā)

　　伴隨RF功率組件發(fā)展趨勢(shì)日漸明朗，各家大廠開始有所動(dòng)作、搶爭(zhēng)新一代科技的主導(dǎo)權(quán)：主流LDMOS供貨商包括恩智浦（NXP）、Ampleon、英飛凌（Infineon）等，正嘗試通過外部代工獲取GaN技術(shù)；傳統(tǒng)GaAs廠商亦紛紛開始著重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)GaN、在市場(chǎng)拔得頭籌；至于純GaN供貨商如科銳（Cree）旗下的Wolfspeed，一方面為L(zhǎng)DMOS大廠供應(yīng)相關(guān)組件、壯大市場(chǎng)，一方面則努力確保自身在GaN技術(shù)發(fā)展的領(lǐng)先地位。

　　Yole指出，待GaN組件成為主流，掌握GaN市場(chǎng)的廠商將取代LDMOS主力廠商，成為RF功率市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者?，F(xiàn)階段除Wolfspeed，該領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商幾乎都是由GaAs廠商轉(zhuǎn)進(jìn)。就近期包括Infineon收購Wolfspeed受阻于美國(guó)政府、和康電訊（M/A-COM）與Infineon間的訴訟等相關(guān)事件來看，該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)似乎也日趨白熱化。而在背后還隱藏著一哥射頻大玩家——Qorvo。2015年，射頻前端模組領(lǐng)域兩大廠商Triquint和RFMD合并成了今天的Qorvo，成就了今天FEM市場(chǎng)的領(lǐng)跑者之一。

　　作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo預(yù)測(cè)，8GHz以下砷化鎵仍是主流，8GHz以上氮化鎵替代趨勢(shì)明顯。砷化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、能耗低、適合高頻率、支持寬帶寬等特點(diǎn)，包括Qorvo在內(nèi)的幾個(gè)業(yè)界先驅(qū)已經(jīng)在GaN上投入了巨額資金研究。Qorvo認(rèn)為GaN具有高功率密度、寬頻性能、高功率處理、輸入功率穩(wěn)定、減少零件尺寸和數(shù)量等特點(diǎn)，讓其受到功率放大器和無線基礎(chǔ)設(shè)施等市場(chǎng)的青睞。Qorvo將利用其在毫米波和GaNonSic技術(shù)上的專業(yè)知識(shí),全面助力網(wǎng)絡(luò)設(shè)備服務(wù)提供商5G進(jìn)程的實(shí)現(xiàn)。

　　Qorvo在5G相關(guān)領(lǐng)域也積累了許多核心技術(shù)。從LowDrift™和NoDrift™濾波技術(shù)和天線調(diào)諧到RFFusion™和RFFlex™射頻前端解決方案，再到更加基礎(chǔ)的GaN技術(shù)，Qorvo提供了行業(yè)領(lǐng)先的核心架構(gòu)，濾波器和開關(guān)產(chǎn)品。此外Qorvo還與運(yùn)營(yíng)商和標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)合作，讓5G理想變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

　　目前Qorvo有兩條重要的產(chǎn)品線：移動(dòng)設(shè)備產(chǎn)品線、基礎(chǔ)設(shè)施（MP）和國(guó)防產(chǎn)品線(InfrastructureandDefenseProduct,IDP)，這兩個(gè)產(chǎn)品線分別針對(duì)不同的市場(chǎng)，并在先進(jìn)技術(shù)研發(fā)方面存在互補(bǔ)關(guān)系。產(chǎn)品種類已經(jīng)全面覆蓋使用多種工藝（GaN，GaAs等）實(shí)現(xiàn)的功放，收發(fā)機(jī)，LNA，射頻開關(guān)，以及BAW和SAW濾波器。每一個(gè)產(chǎn)品種類下都有豐富的產(chǎn)品型號(hào)，并在射頻鏈路中占據(jù)重要地位。除了有先進(jìn)的技術(shù)研發(fā)外，Qorvo還擁有獨(dú)立的封裝廠和制造廠，有利于控制成本和穩(wěn)定質(zhì)量，加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)度。