當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。DRAM作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)是PC和智能手機(jī)。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR4 2400 8G臺(tái)式機(jī)內(nèi)存在半年內(nèi)價(jià)格從400元左右漲至800元左右，同時(shí)金立集團(tuán)董事長(zhǎng)劉立榮在9月25日的媒體交流會(huì)上稱，國(guó)產(chǎn)手機(jī)下半年仍會(huì)漲價(jià)，部分原因是內(nèi)存成本上升。

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心的市場(chǎng)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，帶動(dòng)2017年第一季度的合約價(jià)上漲超過30％，各類產(chǎn)品價(jià)格均上漲。

　　連續(xù)四個(gè)季度的DRAM漲價(jià)潮背后是仍在擴(kuò)大的供需缺口。一方面，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，至2017年下半年達(dá)到高潮，另一方面，上游制造商三星電子、SK海力士、美光科技對(duì)市場(chǎng)具有長(zhǎng)期壟斷地位且掌握市場(chǎng)定價(jià)權(quán)，根據(jù)trendforce的數(shù)據(jù)，截至2016年第三季度三大廠商DRAM市場(chǎng)份額總和約占全球市場(chǎng)的94％。

　　內(nèi)存作為智能手機(jī)核心硬件之一，一直以來依賴進(jìn)口。據(jù)一位長(zhǎng)期跟蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的證券分析師稱，存儲(chǔ)器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價(jià)大幅增加了國(guó)產(chǎn)智能手機(jī)和PC廠商的成本，特別是存儲(chǔ)器成本占比相對(duì)較高的中低端智能手機(jī)，侵蝕了競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲(chǔ)器供給嚴(yán)重不足的雙重壓力。當(dāng)下，部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià)，幅度為100——500元。

　　至9月12日蘋果發(fā)布88％——90％屏占比的iPhone X后，這場(chǎng)自今年下半年開始在國(guó)內(nèi)全面打響的手機(jī)全面屏之戰(zhàn)進(jìn)入高潮。

　　金立集團(tuán)是參與者之一，“手機(jī)廠家的成本一直在漲”，9月25日推出了新一代全面屏手機(jī)產(chǎn)品M7的金立集團(tuán)董事長(zhǎng)劉立榮在媒體交流會(huì)上稱，當(dāng)下內(nèi)存產(chǎn)能已經(jīng)跟不上需求，漲價(jià)已經(jīng)成為一種必然，雖然金立公司堅(jiān)持使用6GB內(nèi)存且沒有抬高手機(jī)價(jià)格，但從手機(jī)市場(chǎng)行情來看有漲價(jià)趨勢(shì)。分析師稱，目前智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G——8G，同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯?chǔ)器容量的不同，價(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。

　　DRAM市場(chǎng)格局仍以三星電子、美光科技、SK海力士三大寡頭競(jìng)爭(zhēng)為主。7月7日，三星電子發(fā)布的第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告顯示，其營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)5年來季度利潤(rùn)新高，同比增長(zhǎng)近72％達(dá)到14萬億韓元 （約合121億美元）。集團(tuán)在業(yè)績(jī)展望中稱業(yè)績(jī)受到芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁表現(xiàn)的提振。9月27日，美光科技發(fā)布的第四財(cái)季創(chuàng)下61.4億美元營(yíng)收，超越了華爾街分析師預(yù)期，比上年同期增長(zhǎng)91％。其中DRAM產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)5％，由于DRAM產(chǎn)品利潤(rùn)率增長(zhǎng)，該季度毛利率為50.7％。

　　漲價(jià)背后也和三大廠商供給收縮有關(guān)。當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)技術(shù)迭代升級(jí)，即2D NAND Flash（二維閃存）轉(zhuǎn)移至3D NAND Flash（三維閃存），三大廠商紛紛進(jìn)行閃存迭代升級(jí)的生產(chǎn)線建設(shè)，同時(shí)對(duì)于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對(duì)保守。分析師表示，預(yù)計(jì)到2018年，隨著3D NAND Flash產(chǎn)能和良品率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張局面有望緩解。