LED芯片也稱(chēng)為L(zhǎng)ED發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結(jié)。其主要功能是把電能轉(zhuǎn)化為光能。那么LED芯片有什么尺寸呢，LED芯片的制作流程如何，下面小編將為你介紹一下。

　　LED芯片有什么尺寸：

　　大功率LED芯片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種LED芯片尺寸是可以訂制的，這只是一般常見(jiàn)的規(guī)格。mil是尺寸單位，一個(gè)mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率LED芯片的常用尺寸規(guī)格。理論上來(lái)說(shuō)，LED芯片越大，能承受的電流及功率就越大。不過(guò)LED芯片材質(zhì)及制程也是影響LED芯片功率大小的主要因素。例如有些LED芯片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的LED芯片，最多能承受到2W。

　　LED芯片的制造流程：

　　總的來(lái)說(shuō)，LED芯片制作流程分為兩大部分：

　　首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐（MOCVD）中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

　　MOCVD是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類(lèi)比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。

　　然后是對(duì)LED PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨;然后對(duì)LED毛片進(jìn)行劃片、測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果LED芯片清洗不夠乾凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會(huì)導(dǎo)致蒸鍍出來(lái)的金屬層（指蝕刻后的電極）會(huì)有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。

　　蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定LED芯片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會(huì)有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。

　　LED芯片在前段工藝中，各項(xiàng)工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會(huì)有LED芯片電極刮傷情形發(fā)生。