據(jù)最新統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，中國在全球半導(dǎo)體制造市場的份額比例進(jìn)一步上升，其中作為中國大陸最大半導(dǎo)體制造代工廠的中芯國際在全球前四大半導(dǎo)體制造廠中增速最快，與中國臺(tái)灣的聯(lián)電進(jìn)一步縮短了差距。

　　中國半導(dǎo)體制造再進(jìn)一步，縮短與臺(tái)灣差距

　　目前全球前四大代工廠分別是臺(tái)積電、GF、聯(lián)電和中芯國際。臺(tái)積電憑借著領(lǐng)先優(yōu)勢正在進(jìn)一步拉開差距，2016年其在半導(dǎo)體代工市場的份額進(jìn)一步抬升到59%，老大地位無可動(dòng)搖。

　　GF在經(jīng)過幾年的停滯后，去年罕有的取得了10%的營收增長，因它從三星購買來14nm FinFET工藝，贏回了部分AMD的訂單，市場份額維持在11%。

　　第三位的聯(lián)電，前年錄得負(fù)增長，去年總算勉強(qiáng)取得3%的增長，不過由于其他三家代工廠的營收增速更快導(dǎo)致它的市場份額出現(xiàn)下滑，跌落到9%，位居第三位。

　　去年最值得驚訝的是中國大陸的中芯國際了，其營收錄得31%的增長，繼前年取得營收高速增長后去年的增速進(jìn)一步提速，市場份額提升至6%，與聯(lián)電的營收差距進(jìn)一步縮窄，這與中國市場的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)迅速成長有很大關(guān)系，此外也與全球芯片霸主高通的大力支持有重要關(guān)系。

　　受中國反壟斷調(diào)查的壓力，高通在2015年選擇與中芯國際合作，幫助后者提升工藝制程，同時(shí)將部分芯片訂單交給后者。在高通的幫助下，中芯國際的28nm工藝迅速在2015年量產(chǎn)，更在去年成功將工藝改進(jìn)到28nm HKMG，與聯(lián)電處于同一水平。

　　聯(lián)電眼下14nm FinFET工藝進(jìn)展緩慢，導(dǎo)致它未能在去年底成功量產(chǎn)，最終只能在廈門的12寸晶圓廠引入40nm工藝，臺(tái)灣方面要求聯(lián)電和臺(tái)積電必須在臺(tái)灣投產(chǎn)領(lǐng)先在大陸建設(shè)的晶圓廠一代工藝。

　　中芯國際在先進(jìn)的28nm HKMG開始投入生產(chǎn)后，大陸的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)就無需再前往臺(tái)灣，而這一市場自2014年中國推出的集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立以來芯片設(shè)計(jì)企業(yè)開始日益興盛，憑借著這種地利優(yōu)勢它的營收于是取得了迅速的增長。

　　今年和明年中芯國際的最大挑戰(zhàn)就是其14nm FinFET工藝能否如期投產(chǎn)了。臺(tái)媒方面指聯(lián)電將在今年投產(chǎn)期14nm FinFET工藝，這樣其廈門工廠應(yīng)該能在今年引入28nm HKMG工藝與中芯國際競爭，明年臺(tái)積電的南京12寸晶圓廠投產(chǎn)預(yù)計(jì)會(huì)引入16nm FinFET工藝。

　　如果中芯國際不能在明年順利投產(chǎn)14nm FinFET工藝，這將給它帶來重大挑戰(zhàn)，不過早在2015年中它與高通、華為、IMEC等達(dá)成合作加快該工藝的研發(fā)，近期再獲得領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電16nm FinFET工藝研發(fā)的蔣尚義加盟，更傳可能攬得FinFET工藝研發(fā)的領(lǐng)先者梁孟松，梁孟松是臺(tái)積電和三星FinFET工藝的重要功臣。

　　在中芯國際的營收迅速增長的同時(shí)，其也在加大研發(fā)投入，去年其資本開支提高到25億美元，這是它首次在該項(xiàng)支出上超過聯(lián)電，后者去年的資本支出為22億美元，這也有助于中芯國際加速其14nm FinFET工藝的研發(fā)，因此筆者認(rèn)為中芯的14nm FinFET工藝明年如期量產(chǎn)的可能性很大。

　　半導(dǎo)體先進(jìn)工藝對(duì)于一個(gè)國家的芯片產(chǎn)業(yè)極為重要，中國大陸的華為海思、展訊已居于全球芯片設(shè)計(jì)企業(yè)前十，但是它們都曾被臺(tái)積電優(yōu)先將先進(jìn)工藝產(chǎn)能提供給高通、蘋果等體量更大的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，更不要談大陸其他體量更小的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)了，其實(shí)也正是因?yàn)橹行緡H取得的進(jìn)步才迫使臺(tái)積電和聯(lián)電進(jìn)入大陸開設(shè)晶圓廠并引入更先進(jìn)的工藝。