產(chǎn)品詳情
SGTN15C120HW 韓國光電子AUK最新推出15N120（15A,1200V.TO-247）電磁爐專用IGBT
SGTN15C120HW 1200V, 15A IGBT
超高性價比，可完美替代英飛凌 仙童 東芝 IXYS！
SGTN15C120HW替代FGA15N120ANDTU
SGTN15C120HW替代IKW15N120T2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R3
SGTN15C120HW替代SKW15N120
SGTN15C120HW替代SGW15N120
SGTN15C120HW替代IKW15N120T2
SGTN15C120HW替代G15N120
SGTN15C120HW替代IXGH15N120BD1
SGTN15C120HW替代G15N120RUFD
SGTN15C120HW替代IXSH15N120B
SGTN15C120HW產(chǎn)品特點
?低柵極電荷
?現(xiàn)場SOTP技術(shù)
?低飽和電壓：
VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25?C)
SGTN15C120HW產(chǎn)品應用
?通用變頻器
?感應加熱（IH）
SJMN07S60FD(7A,600V,TO-220F)AUK最新推出CoolMOS
(7A,600V,TO-220F) N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN07S60F/7N60 COMOS場效應管
SJMN07S60F產(chǎn)品特點
1.漏源電壓VDSS=600V
2.低漏源導通電阻：R DS（ON）=0.32Ω（典型值）
3.低輸入電容和柵極電荷
4.符合RoHS標準裝置
5. 100％雪崩測試
?100％雪崩測試
SJMN20S60FD(20A,600V,20N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN20S60FD替代SPA20N60C3 英飛凌COOLMOS管
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN20S60FD產(chǎn)品特點
?漏源電壓VDSS=600V
?低漏源導通電阻：R DS（ON）=0.155Ω（典型值）
?低輸入電容和柵極電荷
?符合RoHS標準裝置
?100％雪崩測試
SJMN1160FD(11A,600,11N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN1160FD替代SPA10N60C3 英飛凌COOLMOS管
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN1160FD產(chǎn)品特點
1.漏源電壓VDSS=600V
2.低漏源導通電阻：R DS（ON）=0.32Ω（典型值）
3.低輸入電容和柵極電荷
4.符合RoHS標準裝置
5. 100％雪崩測試
