產(chǎn)品詳情
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變頻-工頻切換時，出現(xiàn)變頻炸機，出現(xiàn)空開跳閘，由此出現(xiàn)了各種解釋，使變頻-工頻切換成為一個是忽難以逾越的門檻。例如，有人說“必須保證變頻器輸出的相序和工頻相序一致，這樣才有可能切入”等等。如果變頻器輸出的相序和工頻真的相序一致時，變頻-工頻切換時變頻照樣炸機、空開照樣跳閘。顯然原因絕不是因為什么相序、相位等。我告訴你一個簡單的方法，你用電壓表測量變頻器輸出端與工頻相線間的電壓，不管你怎么調(diào)整變頻器輸出的相序、相位或其它，測量結(jié)果都是工頻380V線電壓。變頻器輸出端與工頻相線間的電壓是工頻380V線電壓，你能直接進行變頻-工頻切換嗎?直接切換能不炸機、跳閘嗎?所以變頻-工頻切換的技術(shù)秘訣就是變頻器的輸出端與工頻不能短接。
青島劍指“工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)之都”
其強弱可通過實際數(shù)據(jù)來衡量。表-1所示為同一廠商的工頻機與高頻機過載能力，由表-1可知，兩類機型過載能力并沒有區(qū)別。輸出變壓器并不會增強工頻機的抗沖擊能力，對于變壓器可以增強抗沖擊能力的想象于變壓器的電感特性，電感平滑電流的能力在負載電流激增時可以平滑電流波形延緩電流沖擊。但實際上電感平滑電流的能力與其本身感量成正比。工頻機輸出變壓器變比小，變壓器輸出繞組的勵磁電感也不會太大，在大電流沖擊下極易飽和，很難對逆變器的沖擊有明顯的緩沖作用。而按照傳統(tǒng)變壓器傳遞能量的特點與磁性器件原理分析，當后級負載也就是變壓器輸出側(cè)出現(xiàn)能量沖擊時，在變壓器能量傳遞能力達到飽和上限之前，后端的尖峰勵磁電流會直接反射到前端對UPS的IGBT產(chǎn)生沖擊。
由于變頻器被使用在各種不同的電氣環(huán)境，不采取恰當?shù)谋Ｗo措施，就會影響變頻器運行的穩(wěn)定性和可靠性。實踐證明，適當選配電抗器與變頻器配套使用，可以有效地防止因操作交流進線開關(guān)而產(chǎn)生的過電壓和浪涌電流對它的沖擊，同時亦可以減少變頻器產(chǎn)生的諧波對電網(wǎng)的污染，并可提高變頻器的功率因數(shù)。因此探討與變頻器配套用的進出線電抗器的選擇方法是十分必要的。1.阻抗電壓降：阻抗電壓降是指50HZ時，對應實際額定電流時電抗器線圈兩端的實際電壓降。通常選擇阻抗電壓降在2-4%左右。2.電感量的選擇：電抗器的額定電感量也是一個重要的參數(shù)！若電感量選擇不合適，會直接影響額定電流下的阻抗電壓降的變化，從而引起故障。而電感量的大小取決于電抗器鐵芯的截面積和線圈的匝數(shù)與氣隙的調(diào)整。
變頻-工頻切換時，出現(xiàn)變頻炸機，出現(xiàn)空開跳閘，由此出現(xiàn)了各種解釋，使變頻-工頻切換成為一個是忽難以逾越的門檻。例如，有人說“必須保證變頻器輸出的相序和工頻相序一致，這樣才有可能切入”等等。如果變頻器輸出的相序和工頻真的相序一致時，變頻-工頻切換時變頻照樣炸機、空開照樣跳閘。顯然原因絕不是因為什么相序、相位等。我告訴你一個簡單的方法，你用電壓表測量變頻器輸出端與工頻相線間的電壓，不管你怎么調(diào)整變頻器輸出的相序、相位或其它，測量結(jié)果都是工頻380V線電壓。變頻器輸出端與工頻相線間的電壓是工頻380V線電壓，你能直接進行變頻-工頻切換嗎?直接切換能不炸機、跳閘嗎?所以變頻-工頻切換的技術(shù)秘訣就是變頻器的輸出端與工頻不能短接。
常見的做法是全屋做吊頂，利用吊頂對管線進行遮蓋——又是錢的問題。墻壁開槽，只能開豎槽，橫槽距離不能超過30cm（橫向開槽會影響墻壁承重）。。）所以，哪怕是兩個距離不算長的插座或水龍頭，我們也需要從天花板開兩條長長的豎槽——錢錢錢。比較難處理的是橫梁問題，如果遇到橫梁，要么直接開孔打眼走線——但這種做法是違規(guī)的，橫梁上禁止開孔。要么開一條很長的豎槽，從天花板走管——嗯，錢包顫抖了嗎？3.管線固定問題地面上無論有沒有開槽，在鋪地板的時候都會有水泥將管線包裹起來。
江西景德鎮(zhèn) ABB R1.SW2/3
場效應分類：場效應管主要有結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極、集電極、發(fā)射極。場效應管的S極與晶體管的e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。
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| FBM05 | EI803F |
| SE352 | IC697CMM742 |
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場效應分類：場效應管主要有結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極、集電極、發(fā)射極。場效應管的S極與晶體管的e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。
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