產(chǎn)品詳情
原?層沉積是基于表?控制的薄膜沉積技術(shù)。在鍍膜過程中，兩種或更多的化學(xué)?相前驅(qū)體依次在基底表?發(fā)?化學(xué)反應(yīng)從?產(chǎn)?固態(tài)的薄膜。在反應(yīng)腔內(nèi)有惰性載?穿過；前驅(qū)體通過極短的脈沖注?到這個惰性載?中。 惰性載?攜帶著前驅(qū)體脈沖作為?種有序“波”依次通過反應(yīng)腔，真空泵管路，過濾系統(tǒng)，并最終通過真空泵。
ALD前驅(qū)
可?原?層沉積的最常?的材料包括（選擇）：
氧化物: Al2O3, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.
氮化物: AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.
碳化物: TaC, TiC, etc.
?屬: Ir, Pd, Pt, Ru, etc.
硫化物: ZnS, SrS, etc.
氟化物: CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.
?物材料: Ca10(PO4)6(OH)2 (hydroxyapatite)
聚合物: PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.
摻雜納?涂層和復(fù)合結(jié)構(gòu)：ALD 可以使??量不同的材料組合
ALD前驅(qū)
可?原?層沉積的最常?的材料包括（選擇）：
氧化物: Al2O3, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.
氮化物: AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.
碳化物: TaC, TiC, etc.
?屬: Ir, Pd, Pt, Ru, etc.
硫化物: ZnS, SrS, etc.
氟化物: CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.
?物材料: Ca10(PO4)6(OH)2 (hydroxyapatite)
聚合物: PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.
摻雜納?涂層和復(fù)合結(jié)構(gòu)：ALD 可以使??量不同的材料組合
