產(chǎn)品詳情
（1） 水清洗設(shè)備。水清洗設(shè)備有溢流清洗器harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L 、排空清洗器、噴射清洗器和加熱去離子水清洗機(jī)。
（2） 硅片甩干。硅片清洗結(jié)束后需要甩干，通常使用旋轉(zhuǎn)式甩干和異丙醇蒸汽干燥法兩種方法。
CMP通常稱為化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical planarization，CMP）或拋光harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化是實(shí)現(xiàn)多層金屬技術(shù)的主要平坦化技術(shù)，它通過(guò)硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化硅片表面，在硅片表面和拋光頭之間有磨料，并且施加一定壓力。CMP設(shè)備工作原理如圖2.23所示，圖2.23（a）為平坦化加工原理圖，harmonic旋轉(zhuǎn)CMP諧波LA-30B-10-F-L為帶有多個(gè)磨頭的CMP設(shè)備示意圖。在拋光時(shí)一個(gè)磨頭上裝有一個(gè)硅片，在傳送和拋光過(guò)程中，磨頭依靠真空來(lái)吸附硅片。拋光時(shí)磨料由磨料噴嘴噴涂到拋光墊上，磨頭和轉(zhuǎn)盤的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)了硅片的拋光。磨料與硅片的化學(xué)反應(yīng)促進(jìn)了拋光效果。
