總結(jié)： 繼我們于今年9月份點(diǎn)評(píng)“存儲(chǔ)器芯片下行趨勢(shì)已定，這次有多糟呢？“以來(lái)，疊加英特爾14納米x86 CPU 短缺、客戶(hù)清理內(nèi)， 閃存（DRAM/NAND）庫(kù)存、虛擬貨幣崩跌和蘋(píng)果于11月初下修其iPhone智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈訂單近30%等不利影響，美光預(yù)期第一季度銷(xiāo)售環(huán)比衰退20-28%及同比衰退14-22%而遠(yuǎn)低于市場(chǎng)預(yù)期的8%環(huán)比衰退及0%同比衰退， 而營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將從4Q18的48%,大幅下跌至1Q19的36-40%。

　　因?yàn)樾枨蠹皟r(jià)格暴跌，美光下調(diào)其資本支出從105億美元到90-95億美元，并且下砍2019年的DRAM需求同比位元增長(zhǎng)（bit growth）從20%到15%,NAND需求同比位元增長(zhǎng)從40%到35%。我們的預(yù)估未來(lái)三個(gè)季度，每個(gè)季度內(nèi)存DRAM環(huán)比位元價(jià)格（bit price）將下跌5-10%,每個(gè)季度閃存NAND環(huán)比位元價(jià)格（bit price）將下跌10-15%,美光及其他大廠(chǎng)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將下探20%以下。

　　雖然存儲(chǔ)器價(jià)格下行趨勢(shì)確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢(shì)持續(xù)時(shí)間應(yīng)不超過(guò)12個(gè)月（從2019年一月起算）。英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會(huì)于明年下半年舒緩，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU, 高通7納米智慧手機(jī)芯片問(wèn)世，5G手機(jī)，云端的人工智能服務(wù)器需求都將對(duì)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)生正面影響。但此下行趨勢(shì)對(duì)明年即將量產(chǎn)的中國(guó)主流存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)， 合肥長(zhǎng)鑫的短期獲利前景是雪上加霜，但2019年15%的全球DRAM同比位元增長(zhǎng)及35%的NAND同比位元需求增長(zhǎng)率加上即將量產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)及合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)/閃存的位元新增，對(duì)于成本加成法的存儲(chǔ)芯片封測(cè)廠(chǎng)太極實(shí)業(yè)（增加封裝芯片數(shù)量及測(cè)試時(shí)間）還是相對(duì)有利。

　　投資建議 中國(guó)大陸重點(diǎn)關(guān)注公司：長(zhǎng)江存儲(chǔ)，合肥長(zhǎng)鑫，太極實(shí)業(yè) 全球重點(diǎn)關(guān)注公司：SK 海力士，美光

　　風(fēng)險(xiǎn)提示： 雖然我們預(yù)估此次存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)下行趨勢(shì)應(yīng)不超過(guò)12個(gè)月（從2019年一月起算），相關(guān)廠(chǎng)商不至于步入虧損，但我們不能排除下行趨勢(shì)中所引發(fā)的全面清庫(kù)存的動(dòng)作，所可能引發(fā)遠(yuǎn)高于市場(chǎng)預(yù)期的價(jià)格崩跌， 及半導(dǎo)體制程工藝演進(jìn)因價(jià)格崩跌而加速產(chǎn)出，造成遠(yuǎn)高于市場(chǎng)預(yù)期的存儲(chǔ)器芯片供給。